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京瓷晶振,貼片晶振,CX5032SA晶振

頻率：8000～40000KHZ

尺寸：5.0*3.2mm

小體積貼片2520mm晶振,外觀小型,表面貼片型晶體諧振器,因本身體積小等優(yōu)勢,適用于移動通信終端的基準(zhǔn)時鐘等移動通信領(lǐng)域.小型,薄型,輕型

訂購熱線：0755-29952551

LH-1

京瓷晶振,貼片晶振,CX5032SA晶振，智能手機晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動通信終端的基準(zhǔn)時鐘等移動通信領(lǐng)域.比如智能手機,無線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品

石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù)：貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù)，最終使晶振晶片表面更光潔，平行度及平面度更好，降低諧振電阻，提高Q值。從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能，使石英晶振的等效電阻等更接近理論值，使晶振可在更低功耗下工作。使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態(tài) LH-2

京瓷晶振規(guī)格	單位	CX5032SA晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	8000 ～ 40000KHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C ～ +150°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +150°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), (±15 × 10-6 ～ ±50 × 10-6 可用)	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://m.lemonorg.cn/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	12pF ～ ∞	超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

LH-3

CX5032SA_5.0_3.2

LH-4

關(guān)于沖洗清潔音叉型晶振由于采用小型、薄型的晶振芯片，以及相對而言頻率與超音波清潔器相近，所以會由于共振而容易受到破壞，因此請不要用超音波清潔器來沖洗晶振。關(guān)于機械性沖擊

(1) 從設(shè)計角度而言，即使石英晶振從高度75cm處落到硬質(zhì)木板上三次，按照設(shè)計不會發(fā)生什么問題，但因落下時的不同條件而異，有可能導(dǎo)致石英芯片的破損。在使之落下或?qū)λ┘記_擊之時，在使用之前，建議確認(rèn)一下振蕩檢查等的條件。

(2) SMD晶振與電阻以及電容器的芯片產(chǎn)品不同，由于在內(nèi)部對石英晶振晶片進(jìn)行了密封保護(hù)，因此關(guān)于在自動安裝時由于沖擊而導(dǎo)致的影響，請在使用之前，懇請貴公司另外進(jìn)行確認(rèn)工作。

(3) 請盡量避免將本公司的音叉型晶振與機械性振動源(包括超聲波振動源)安裝到同一塊基板上，不得已要安裝到同一塊基板上時，請確保晶振能正常工作 LH-5

京瓷晶振環(huán)保理念

京瓷晶振集團希望銷售的所有產(chǎn)品都能為地球環(huán)保做貢獻(xiàn)，因此致力于開發(fā)環(huán)境友好型產(chǎn)品。為進(jìn)行環(huán)境友好型產(chǎn)品的設(shè)計，京瓷晶振明確了“環(huán)境友好理念”。將對于防止全球變暖、節(jié)能、節(jié)省資源、削減有害物質(zhì)做出積極貢獻(xiàn)的產(chǎn)品定為“環(huán)保商品”，并針對所有有源晶振,溫補晶振，石英晶體振蕩器等產(chǎn)品設(shè)定了以環(huán)境友好理念為基礎(chǔ)的評價基準(zhǔn)。通過這些努力，在2015年度，環(huán)保商品的比例達(dá)到了99%。今后，京瓷晶振集團將繼續(xù)開展相關(guān)活動，為提供更多環(huán)境友好型產(chǎn)品而努力。京瓷晶振,貼片晶振,CX5032SA晶振 LH-6